FGH60N60SMD 600В 60А [TO-247], IGBT Транзистор
Модель:
40819
MPN:
ON Semiconductor
23.50 р.
36
Технические параметры
Технология/семейство
Field Stop/Gen 2
Наличие встроенного диода
да
Максимальное напряжение КЭ ,В
600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
120
Импульсный ток коллектора (Icm), А
180
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
2.5
Максимал... →
Технические параметры
| Технология/семейство | Field Stop/Gen 2 |
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 120 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 180 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 600 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 18 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 104 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+175 |