IGBT транзисторы
Технические параметры
Технология/семейство
field stop
Наличие встроенного диода
да
Максимальное напряжение КЭ ,В
600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
80
Импульсный ток коллектора (Icm), А
120
Напряжение насыщения при ..
15.50 р.
Технические параметрыТехнология/семействоfield stopНаличие встроенного диодадаМаксимальное напряжение КЭ ,В600Максимальный ток КЭ при 25°C, A120Импульсный ток коллектора (Icm), А180Напряжение насыщения при номинальном токе, В2.9Максимальная рассеиваемая м..
23.50 р.
Технические параметры
Технология/семейство
Field Stop/Gen 2
Наличие встроенного диода
да
Максимальное напряжение КЭ ,В
600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
120
Импульсный ток коллектора (Icm), А
180
Напряжение насыщен..
23.50 р.
Технические параметры
Технология/семейство
Trench
Наличие встроенного диода
да
Максимальное напряжение КЭ ,В
1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
85
Импульсный ток коллектора (Icm), А
90
Напряжение насыщения при номи..
22.00 р.
Описание
Биполярный транзистор 1200 В, 25 А, 312 Вт
Технические параметры
Технология/семейство
npt trench
Наличие встроенного диода
да
Максимальное напряжение КЭ ,В
1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
50
Импульсный ток ..
9.50 р.
Показано с 1 по 25 из 33 (всего 2 страниц)