Работаем только по безналичному расчёту

IGBT транзисторы


Технические параметры Технология/семейство field stop Наличие встроенного диода да Максимальное напряжение КЭ ,В 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А 120 Напряжение насыщения при ..
15.50 р.
 ⬤  Осталось 4
Технические параметрыТехнология/семействоfield stopНаличие встроенного диодадаМаксимальное напряжение КЭ ,В600Максимальный ток КЭ при 25°C, A120Импульсный ток коллектора (Icm), А180Напряжение насыщения при номинальном токе, В2.9Максимальная рассеиваемая м..
23.50 р.
 ⬤  Осталось 1
Технические параметры Технология/семейство Field Stop/Gen 2 Наличие встроенного диода да Максимальное напряжение КЭ ,В 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A 120 Импульсный ток коллектора (Icm), А 180 Напряжение насыщен..
23.50 р.
 ⬤  Осталось 36
Технические параметры Технология/семейство Trench Наличие встроенного диода да Максимальное напряжение КЭ ,В 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A 85 Импульсный ток коллектора (Icm), А 90 Напряжение насыщения при номи..
22.00 р.
 ⬤  Осталось 2
Описание Биполярный транзистор 1200 В, 25 А, 312 Вт Технические параметры Технология/семейство npt trench Наличие встроенного диода да Максимальное напряжение КЭ ,В 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A 50 Импульсный ток ..
9.50 р.
 ⬤  Осталось 3
Показано с 1 по 25 из 33 (всего 2 страниц)