GT60N321(Q) 1000В 60А [2-21F2C], IGBT Транзистор, Формованные выводы
Модель:
102
MPN:
TOSHIBA
![GT60N321(Q) 1000В 60А [2-21F2C], IGBT Транзистор, Формованные выводы](http://radio-detal.by/image/cache/catalog/0/102-500x500.jpg)
![GT60N321(Q) 1000В 60А [2-21F2C], IGBT Транзистор, Формованные выводы-1](http://radio-detal.by/image/cache/catalog/frametheme/src_holder-356x356.png)
![GT60N321(Q) 1000В 60А [2-21F2C], IGBT Транзистор, Формованные выводы](http://radio-detal.by/image/cache/catalog/0/102-56x56.jpg)
15.00 р.
2
Технические параметры
Технология/семейство
gen4
Наличие встроенного диода
да
Максимальное напряжение КЭ ,В
1000
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
60
Импульсный ток коллектора (Icm), А
120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
2.8
Максимальная рассеив... →
Технические параметры
| Технология/семейство | gen4 |
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1000 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 60 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 120 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 170 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 330 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 700 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
| Корпус | 2-21f2c |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 1000 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 1000 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 60 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 75 |