IXFH26N50, Транзистор полевой, N-channel 500В 26А 0.2 Ом, [TO-247]
Модель:
662
MPN:
Ixys Corporation
18.00 р.
2
Технические параметры
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
26 А
Максимальное рассеяние мощности
400 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
5.3мм
Высота
21.46мм
Размеры
16.26 x 5.3 x 21.46мм
Материал ... →
Технические параметры
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 26 А |
| Максимальное рассеяние мощности | 400 Вт |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Ширина | 5.3мм |
| Высота | 21.46мм |
| Размеры | 16.26 x 5.3 x 21.46мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 16.26мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 20 ns |
| Производитель | IXYS |
| Типичное время задержки выключения | 58 нс |
| Серия | HiperFET, Polar |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5.5V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 230 mΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток | 500 V |
| Число контактов | 3 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 3600 pF@ 25 V |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -30 V, +30 V |