FGA25N120ANTD (25N120) 1200В 25А [TO-3P], IGBT Транзистор
Модель:
51
MPN:
Fairchild Semiconductor
![FGA25N120ANTD (25N120) 1200В 25А [TO-3P], IGBT Транзистор](http://radio-detal.by/image/cache/catalog/0/51-500x500.jpg)
![FGA25N120ANTD (25N120) 1200В 25А [TO-3P], IGBT Транзистор-1](http://radio-detal.by/image/cache/catalog/frametheme/src_holder-356x356.png)
![FGA25N120ANTD (25N120) 1200В 25А [TO-3P], IGBT Транзистор](http://radio-detal.by/image/cache/catalog/0/51-56x56.jpg)
9.50 р.
3
Описание
Биполярный транзистор 1200 В, 25 А, 312 Вт
Технические параметры
Технология/семейство
npt trench
Наличие встроенного диода
да
Максимальное напряжение КЭ ,В
1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
50
Импульсный ток коллектора (Icm), А
90
Напряжение насыщ... →
Описание
Биполярный транзистор 1200 В, 25 А, 312 Вт
Технические параметры
| Технология/семейство | npt trench |
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 50 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 90 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.65 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 312 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 50 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 190 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
| Структура | igbt+диод |
| Управляющее напряжение,В | 5.5 |
| Дополнительные опции | встроенный быстродействующий диод |