IGBT транзисторы
Технические параметры
Технология/семейство
gen4
Наличие встроенного диода
да
Максимальное напряжение КЭ ,В
1000
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
60
Импульсный ток коллектора (Icm), А
120
Напряжение насыщения при номин..
15.00 р.
Семейство Trench IGBT Диод нет Макс. напряж. КЭ ,В 360 Макс. ток КЭ при 25°C, A 70 Макс. ток КЭ при 100°C, A 35 Напряж. насыщ. при ном. токе, В 1.4 Мощность, Вт 60 Корпус TO-262 (D2-PAK)Техническая документация PDF..
7.00 р.
Семейство
IGBT
Диод
нет
Макс. напряж. КЭ ,В
630
Макс. ток КЭ при 25°C, A
70
Макс. ток КЭ при 100°C, A
35
Напряж. насыщ. при ном. токе, В
1.9
Мощность, Вт
60
Корпус
TO-262 (D2-PAK)..
5.00 р.
Показано с 26 по 33 из 33 (всего 2 страниц)