Работаем только по безналичному расчёту

IGBT транзисторы


Технические параметры Технология/семейство gen4 Наличие встроенного диода да Максимальное напряжение КЭ ,В 1000 Максимальный ток КЭ при 25°C, A 60 Импульсный ток коллектора (Icm), А 120 Напряжение насыщения при номин..
15.00 р.
 ⬤  Осталось 2
Семейство Trench IGBT Диод нет Макс. напряж. КЭ ,В 360 Макс. ток КЭ при 25°C, A 70 Макс. ток КЭ при 100°C, A 35 Напряж. насыщ. при ном. токе, В 1.4 Мощность, Вт 60 Корпус TO-262 (D2-PAK)Техническая документация PDF..
7.00 р.
 ⬤  Осталось 2
Семейство IGBT Диод нет Макс. напряж. КЭ ,В 630 Макс. ток КЭ при 25°C, A 70 Макс. ток КЭ при 100°C, A 35 Напряж. насыщ. при ном. токе, В 1.9 Мощность, Вт 60 Корпус TO-262 (D2-PAK)..
5.00 р.
 ⬤  Осталось 2
Показано с 26 по 33 из 33 (всего 2 страниц)